Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -40 V / -90 A 125 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
258-3871P
Herst. Teile-Nr.:
IPD90P04P4L04ATMA2
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-90A

Drain-Source-Spannung Vds max.

-40V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

IPD

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.30mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

125W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

135nC

Durchlassspannung Vf

-1V

Gate-Source-spannung max Vgs

5V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

DIN IEC 68-1, RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

MOSFET der IPD-Serie von Infineon, -40 V maximale Drain-Source-Spannung, 125 W maximale Verlustleistung – IPD90P04P4L04ATMA2


Dieser MOSFET ist ein P-Kanal-Verbesserungsgerät, das für oberflächenmontierte Leistungsschaltung und Steuerung in anspruchsvollen elektronischen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und eignet sich für Hochstromanwendungen, bei denen geringe Leitungsverluste und definierte Gate-Treiber-Schwellenwerte erforderlich sind. Das Gerät erfüllt anerkannte Umwelt- und Automobil-Standards für den Einsatz in technischen Baugruppen.

Merkmale und Vorteile:


• Niedriger Einschaltwiderstand reduziert Leitungsverluste für Effizienzsteigerungen
• Hohe Dauerstromfähigkeit unterstützt schwere Schaltvorgänge
• 135 nC typische Gate-Ladung ermöglicht kontrolliertes Schaltverhalten
• Die Verlustleistung von 125 W ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme
• Breiter Betriebstemperaturbereich ermöglicht eine erweiterte Umweltverträglichkeit

Anwendungsbereich


• Geeignet für Hochstrom-Stromverteilermodule in Fahrzeugen
• Ideal für thermisch anspruchsvolle industrielle Stromwandler
• Wird mit Gate-Drive-Schaltkreisen verwendet, die eine 5-V-Kompatibilität erfordern
• Kann für die Oberflächenmontage auf Platinenebene verwendet werden
• Geeignet für RoHS-konforme Kfz-Baugruppen

Welcher Gate-Drive-Spannungsbereich ist mit diesem Gerät kompatibel?


Er nimmt eine maximale Gate-Source-Spannung von 5 V auf, die mit gängigen Logikpegeltreibern übereinstimmt.

Wie verhält sich das Gerät bei extremen Temperaturen?


Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit breitem Temperaturbereich.

Welches Gehäuse und welche Befestigungsmethode sind für die Montage vorgesehen?


Die Komponente wird in einem TO‐252-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage auf Leiterplatten konfiguriert ist.

Welche Zulassungen und Umweltstandards erfüllt er?


Er entspricht den Anforderungen von DIN IEC 68‐1 und RoHS und erfüllt die AEC‐Q101-Qualifikation für die Automobilindustrie.

Welche elektrischen Grenzwerte sollten Entwickler für einen sicheren Betrieb beachten?


Das Gerät ist für eine Ablass-Quellenspannung von -40 V, einen kontinuierlichen Ablassstrom von -90 A und eine maximale Gate-Ladung von 135 nC ausgelegt.

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