Infineon, SMD MOSFET 650 V / 4,5 A PG-TO 252-3

Der Infineon 600 V CoolMOS PFD7 Super Junction MOSFET ergänzt das CoolMOS 7-Angebot für Verbraucheranwendungen. Der CoolMOS PFD7 Super-Junction-MOSFET in einem TO 252 DPAK-Gehäuse verfügt über einen RDS(on) von 2000 mOhm, was zu niedrigen Schaltverlusten führt. Eine implementierte schnelle Gehäusediode sichert ein robustes Gerät und verringert so den Materialaufwand für den Kunden. Darüber hinaus trägt unser branchenführendes SMD-Gehäuse zu Platzersparnissen auf der Leiterplatte bei und vereinfacht die Fertigung. Diese Produktfamilie ist auf extrem hohe Leistungsdichte sowie Designs mit höchster Effizienz zugeschnitten. Die Produkte richten sich hauptsächlich an Ladegeräte mit extrem hoher Dichte, Adapter und Motorantriebe mit geringer Leistungsaufnahme.

Großer Bereich von RDS(on)-Werten
Ausgezeichnete Schaltfestigkeit
Niedrige elektromagnetische Störungen
Breites Paketportfolio
BOM-Kostenreduzierung und einfache Fertigung
Robustheit und Zuverlässigkeit
Einfache Auswahl der richtigen Teile für die Feinabstimmung des Designs