Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 80 A TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 258-3820P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB80P04P4L06ATMA2
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 20 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
€ 46,80
(ohne MwSt.)
€ 56,20
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Nur noch Restbestände
- Letzte 74 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 20 - 48 | € 2,34 |
| 50 - 98 | € 2,19 |
| 100 - 198 | € 2,035 |
| 200 + | € 1,895 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-3820P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB80P04P4L06ATMA2
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 80A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | iPB | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 40.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 80A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie iPB | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 40.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Leistungstransistor OptiMOS-P2 von Infineon ist ein P-Kanal-Logikpegelverstärkungsmodus. Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C.
AEC-qualifiziert
MSL1 bis zu 260 °C Spitzenreflow