Infineon IPA Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 60 V / 72 A TO-220

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
258-3767
Herst. Teile-Nr.:
IPA040N06NM5SXKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

72A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

IPA

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

9.8mΩ

Channel-Modus

N

Durchlassspannung Vf

1.2V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Infineon OptiMOS 5 MOSFET 60 V im TO-220 FullPAK-Gehäuse erfüllt die Anforderungen an eine verbesserte Systemeffizienz und senkt die Systemkosten. Der OptiMOS-Leistungs-MOSFET verfügt über einen niedrigen RDS(on) von 4,0 mOhm, um den Wirkungsgrad zu verbessern. Darüber hinaus ist die TO-220 FullPAK-Portfolio-Erweiterung mit ihrer erhöhten Leistungsdichte die ausgezeichnete Lösung für synchrone Gleichrichtung. Es ist für TV-Netzteil, Desktop, Adapter und Gaming-Anwendungen optimiert.

Niedrige Spannungsüberschreitung

Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand

Weniger Parallelführung erforderlich

Die erzeugte Wärme wird nicht auf die Leiterplatte umgeleitet

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