Infineon IAUC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 120 A 115 W, 8-Pin TDSON

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 5000 Stück)*

€ 2.380,00

(ohne MwSt.)

€ 2.855,00

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 07. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
5000 +€ 0,476€ 2.380,00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
258-0917
Herst. Teile-Nr.:
IAUC120N04S6N013ATMA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TDSON

Serie

IAUC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.3mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.8V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

51nC

Maximale Verlustleistung Pd

115W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Die Infineon OptiMOS 6 40V Power MOS Technologie im 5x6mm2 SS08 bleifreien Paket mit höchster Qualität und Robustheit für Automobilanwendungen. Ein Portfolio von 16 Produkten, das es dem Kunden ermöglicht, das am besten geeignete Produkt für seine Anwendungen zu finden. All dies ermöglicht die beste Produkt-FOM und Leistung auf dem Markt. Das neue Produkt SS08 bietet 120 A Dauerstrom, d. h. >25 % höher als der Standard-DPAK bei fast der Hälfte seiner Abmessungsfläche.

AEC Q101-qualifiziert

MSL1 bis zu 260 °C Spitzenreflow

Betriebstemperatur: 175 °C

Grünes Produkt (RoHS-konform)

100 % Lawinengeprüft

Verwandte Links