Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 100 A 63 W TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 257-9462
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLR6225TRPBF
- Hersteller:
- Infineon
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- 257-9462
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLR6225TRPBF
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 48nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 63W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 48nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 63W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon IRLR-Serie ist das 20-V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-Mosfet in einem D-Pak-Gehäuse.
Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard
SMD-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard
Kann wellenförmig gelötet werden
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