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Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 55 V / 89 A TO-252

Name: Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 55 V / 89 A TO-252
Brand: Infineon
SKU: 257-9460
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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	89A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	55V
	Gehäusegröße	TO-252
	Serie	HEXFET
	Montageart	Durchsteckmontage
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	15mΩ
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 89A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 55V
	Gehäusegröße TO-252
	Serie HEXFET
	Montageart Durchsteckmontage
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 15mΩ
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Die Infineon IRLR-Serie ist das 55-V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-Mosfet in einem D-Pak-Gehäuse.

Logikpegel

Erweiterte Prozesstechnologie

Extrem niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand

Betriebstemperatur: 175 °C

Schnelles Schalten

Wiederholte Lawinen sind bis zu Tj max. zulässig

Bleifrei

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