Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 60 V / 99 A 143 W TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 257-9458P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLR3636TRLPBF
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 257-9458P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLR3636TRLPBF
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 99A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8.3mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 143W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 33nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 99A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8.3mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 143W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 33nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon IRLR-Serie ist ein 60-V-Einfach-N-Kanal-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.
Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard
SMD-Gehäuse nach Industriestandard
Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz