Infineon N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 148 A Direkte FET, große Dose
- RS Best.-Nr.:
- 257-9315
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7748L1TRPBF
- Hersteller:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 257-9315
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7748L1TRPBF
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 148 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | Direkte FET, große Dose | |
| Montage-Typ | THT | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 148 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße Direkte FET, große Dose | ||
Montage-Typ THT | ||
Die IRF-Serie von Infineon ist ein 60-V-Einfach-N-Kanal-IRFET-Leistungs-Mosfet in einem direkten FET-L6-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.
Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard
Hoher Nennstrom
Zweifachseitige Kühlung
Geringe Gehäusehöhe von 0,7 mm
Gehäuse mit geringer Parasiteninduktivität (1 bis 2 nH)
100 % bleifrei (keine RoHS-Ausnahmeregelung)
Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard
Hoher Nennstrom
Zweifachseitige Kühlung
Geringe Gehäusehöhe von 0,7 mm
Gehäuse mit geringer Parasiteninduktivität (1 bis 2 nH)
100 % bleifrei (keine RoHS-Ausnahmeregelung)
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