Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 110 A 140 W TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 257-5806P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR7540TRPBF
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 50 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
€ 24,70
(ohne MwSt.)
€ 29,65
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 1 470 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 120 | € 0,494 |
| 125 - 245 | € 0,466 |
| 250 - 495 | € 0,446 |
| 500 + | € 0,434 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 257-5806P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR7540TRPBF
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 110A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 4.8mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 140W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 86nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 110A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 4.8mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 140W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 86nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der HEXFET-Leistungs-MOSFET von Infineon hat eine verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit sowie eine vollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-SOA.
Verbesserte dV/dt- und dI/dt-Fähigkeit der Body-Diode
Bleifrei, RoHS-konform