Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 24.7 A PowerPAK SO-8

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RS Best.-Nr.:
256-7420
Herst. Teile-Nr.:
SIR120DP-T1-RE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

24.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

PowerPAK SO-8

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0095Ω

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der 80-V-D-S-N-Kanal-MOSFET von Vishay Semiconductor mit sehr niedrigem RDS x Qg-Verdienstwert (FOM) umfasst synchrone Gleichrichtung, primäre Seitenschalter, DC, DC-Wandler, Netzteile, Motorantriebssteuerung, Batterie- und Lastschalter.

TrenchFET gen IV Power Mosfet

Sehr niedriger RDS x Qg-Verdienstwert (FOM)

Abgestimmt auf den niedrigsten RDS x Qoss FOM

100 % Rg- und UIS-geprüft

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