Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 0.53 A, 3-Pin SC-89
- RS Best.-Nr.:
- 256-7339P
- Herst. Teile-Nr.:
- SI1062X-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 0.53A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | SC-89 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.4Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 0.53A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße SC-89 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 0.8mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal von Vishay Semiconductor, 20 V, 530 mA (Ta), 220 mW (Ta), ist SMD-montiert mit SC-89-3-Gehäusetyp, und seine Anwendungen sind Last, Stromschaltung für tragbare Geräte, Treiber, batteriebetriebene Systeme, Netzteil-Wandlerkreise.
TrenchFET Power Mosfet
Gate-Quelle ESD-geschützt 1000 V
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