Vishay IRFR9014 Typ P-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET -60 V / -5.1 A 25 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 256-7313P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR9014PBF
- Hersteller:
- Vishay
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -5.1A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -60V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | IRFR9014 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.5Ω | |
| Durchlassspannung Vf | -5.5V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 25W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Höhe | 2.38mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -5.1A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -60V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie IRFR9014 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.5Ω | ||
Durchlassspannung Vf -5.5V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 25W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Höhe 2.38mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie IRFR9014 von Vishay, -60 V maximale Drain-Source-Spannung, 5,1 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IRFR9014PBF
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein P-Kanal-Transistor, der für Schalt- und Leistungsmanagement in oberflächenmontierter Elektronik entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und eignet sich für kompakte Baugruppen, bei denen eine kontrollierte Gate-Ansteuerung und eine moderate Strombelastbarkeit erforderlich sind. Das Gerät wird in einem TO‐252-Gehäuse geliefert und entspricht den RoHS-Richtlinien.
Merkmale und Vorteile:
• Die Ablassspannung von 60 V unterstützt Schaltanwendungen mit mittlerer Spannung
• Der kontinuierliche Ablassstrom von -5,1 A ermöglicht eine moderate Lasthandhabung
• 0,5 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste in Schwachlaststromkreisen
• Die typische Gate-Ladung von 12 nC ermöglicht eine schnellere Gate-Schaltung
• Maximale Verlustleistung von 25 W steuert die thermische Belastung in kompakten Layouts
• Die Gate-Toleranz von ±20 V bietet Flexibilität bei Gate-Drive-Anordnungen
• Der kontinuierliche Ablassstrom von -5,1 A ermöglicht eine moderate Lasthandhabung
• 0,5 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste in Schwachlaststromkreisen
• Die typische Gate-Ladung von 12 nC ermöglicht eine schnellere Gate-Schaltung
• Maximale Verlustleistung von 25 W steuert die thermische Belastung in kompakten Layouts
• Die Gate-Toleranz von ±20 V bietet Flexibilität bei Gate-Drive-Anordnungen
Anwendungen
• Geeignet für den Verpolungsschutz in Gleichstromsystemen
• Ideal für kleine Motorsteuerungs- und Antriebsstromkreise
• Wird mit Stromverteilungsmodulen in kompakten Baugruppen verwendet
• Kann zum Schalten von Lasten in Unterhaltungselektronik verwendet werden
• Geeignet für Bias- und Polaritätsumschaltung in Sensor-Arrays
• Ideal für kleine Motorsteuerungs- und Antriebsstromkreise
• Wird mit Stromverteilungsmodulen in kompakten Baugruppen verwendet
• Kann zum Schalten von Lasten in Unterhaltungselektronik verwendet werden
• Geeignet für Bias- und Polaritätsumschaltung in Sensor-Arrays
Welche Befestigungsmethode ist für eine zuverlässige Installation erforderlich?
Sie ist für die Oberflächenmontage auf Leiterplatten mit der dreipoligen TO-252-Grundfläche mit geeigneten Lötprofilen für die thermische Übertragung vorgesehen.
Wie verhält es sich bei hohen Umgebungstemperaturen?
Die Komponente ist für den Betrieb bei bis zu +150 °C ausgelegt, was den Einsatz in Umgebungen mit hohen Temperaturen und einem geeigneten Wärmemanagement ermöglicht.
Welche Gate-Drive-Grenzwerte müssen eingehalten werden, um Schäden zu vermeiden?
Die Gate-to-Source-Spannung darf unter keinen Betriebsbedingungen ±20 V überschreiten, um eine Überbelastung durch Gate-Oxid zu verhindern.
Ist dieses Gerät für die Qualifizierung nach Automobilstandard spezifiziert?
Es entspricht nicht den Standards für die Automobilindustrie und sollte nicht als Ersatz für Kfz-kompatible Komponenten gelten.