Vishay IRFR9010 Typ P-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET -50 V / -5.3 A 25 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 256-7311P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR9010TRPBF
- Hersteller:
- Vishay
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -5.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -50V | |
| Serie | IRFR9010 | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.5Ω | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 25W | |
| Durchlassspannung Vf | -5.5V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 9.1nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -5.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -50V | ||
Serie IRFR9010 | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.5Ω | ||
Maximale Verlustleistung Pd 25W | ||
Durchlassspannung Vf -5.5V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 9.1nC | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Höhe 2.39mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie IRFR9010 von Vishay, 50 V maximale Drain-Source-Spannung, 5,3 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IRFR9010TRPBF
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein P-Kanal-Halbleitergerät, das für Schalt- und Leistungsmanagementfunktionen in oberflächenmontierten Baugruppen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und eignet sich für Schaltkreise, die eine kontrollierte Hochstromschaltung und eine moderate Spannungsbelastbarkeit in einem kompakten TO‐252-Gehäuse erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• Die Nennleistung von 50 V Drain-to-Source ermöglicht das Schalten bei mittlerer Spannung
• 0,5 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste in Lastpfaden
• 5.3 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt eine dauerhafte Stromversorgung
• 9.1 nC typische Gate-Ladung ermöglicht eine schnellere Gate-Drive-Reaktion
• Maximale Verlustleistung von 25 W ermöglicht eine höhere thermische Belastung
• Betriebsbereich von -55 °C bis +150 °C unterstützt raue Umgebungen
• 0,5 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste in Lastpfaden
• 5.3 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt eine dauerhafte Stromversorgung
• 9.1 nC typische Gate-Ladung ermöglicht eine schnellere Gate-Drive-Reaktion
• Maximale Verlustleistung von 25 W ermöglicht eine höhere thermische Belastung
• Betriebsbereich von -55 °C bis +150 °C unterstützt raue Umgebungen
Anwendungen
• Geeignet für High-Side-Schaltung in Stromschienen
• Ideal für Batteriemanagement und Lasttrennungen
• Wird mit kompakten Wandlern verwendet, die eine Oberflächenmontage erfordern
• Kann für Verpolungsschutzschaltungen verwendet werden
• Geeignet für thermische Belastungsprüfungen bei der Validierung von Elektronik
• Ideal für Batteriemanagement und Lasttrennungen
• Wird mit kompakten Wandlern verwendet, die eine Oberflächenmontage erfordern
• Kann für Verpolungsschutzschaltungen verwendet werden
• Geeignet für thermische Belastungsprüfungen bei der Validierung von Elektronik
Welche Gehäusetyp wird verwendet, und wie wirkt sich das auf die Montage aus?
Es wird in einem TO‐252-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage konzipiert ist und eine flache Option bietet, die mit Reflow-Prozessen kompatibel ist und eine thermische Kopplung mit Leiterplattenkupfer zur Wärmeableitung ermöglicht.
Welche Einschränkungen des Gate-Antriebs sollten bei der Konstruktion berücksichtigt werden?
Das Gerät toleriert bis zu 20 V zwischen Gate und Quelle, sodass Gate-Treiber innerhalb dieses Bereichs bleiben müssen, um eine Beschädigung des Gate-Oxids zu vermeiden.
Wie sollte das Wärmemanagement auf einer Leiterplatte behandelt werden?
Angesichts einer maximalen Verlustleistung von 25 W sollten die Entwickler eine ausreichende Kupferfläche oder Wärmeleitungen unter dem Gehäuse bereitstellen, um die Wärme zu verteilen und die Sperrschichttemperatur innerhalb sicherer Grenzen zu halten.
Gibt es besondere Überlegungen zur Schaltleistung?
Die typische Gate-Ladung von 9,1 nC bedeutet mäßige Gate-Drive-Energie
sollte die Treiberauswahl die Schaltgeschwindigkeit mit EMI und Antriebsleistung in Einklang bringen.