Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 50 V / 1.1 A 1 W, 3-Pin HVMDIP

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RS Best.-Nr.:
256-7283
Herst. Teile-Nr.:
IRFD9010PBF
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

50V

Gehäusegröße

HVMDIP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.5Ω

Maximale Verlustleistung Pd

1W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

11nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die P-Kanal-MOSFET-HVMDIPs von Vishay Semiconductor sind für den Einsatz in Leistungsstufen vorgesehen, in denen eine komplementäre Symmetrie mit N-Kanal-Geräten eine Vereinfachung des Stromkreises bietet. Die effiziente Geometrie und die einzigartige Verarbeitung des HVMDIP-Designs erzielen einen sehr niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand in Kombination mit hoher Transkonduktivität und extremer Robustheit des Geräts.

Für automatisches Einsetzen

Kompakt, am Ende stapelbar

Schnelles Schalten

Niedriger Antriebsstrom

Einfache Parallelmontage

Ausgezeichnete Temperaturstabilität

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