Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	DiodesZetex
	Kabelkanaltyp	Typ P
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	10.7A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	12V
	Gehäusegröße	PowerDI5060-8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	41mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	8 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	127nC
	Maximale Verlustleistung Pd	1.73W
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Breite	5.15 mm
	Höhe	1mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke DiodesZetex
	Kabelkanaltyp Typ P
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10.7A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 12V
	Gehäusegröße PowerDI5060-8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 41mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 8 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 127nC
	Maximale Verlustleistung Pd 1.73W
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Breite 5.15 mm
	Höhe 1mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - DMPH33M8SPSW-13

Der DiodeZetex P-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET wurde entwickelt, um den Widerstand im eingeschalteten Zustand zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten, was ihn ideal für hocheffiziente Stromverwaltungsanwendungen macht. Er ist für allgemeine Anwendungen geeignet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand, hohe Umwandlungsenergie, halogen- und antimonfrei

DiodesZetex Typ P-Kanal MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W PowerDI5060-8

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