onsemi NTH N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1.2 kV / 58 A 117 W, 7-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 254-7672
- Herst. Teile-Nr.:
- NTH4L075N065SC1
- Hersteller:
- onsemi
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 58A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1.2kV | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | NTH | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 22mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 117W | |
| Durchlassspannung Vf | 4.5V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 61nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | Pb-Free 2LI, RoHS with exemption 7a | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 58A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1.2kV | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie NTH | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 22mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 117W | ||
Durchlassspannung Vf 4.5V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 61nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen Pb-Free 2LI, RoHS with exemption 7a | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 57 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 57 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L
Die Serie NTH von Siliziumkarbid-Mosfet von ON Semiconductor verwendet eine völlig neue Technologie, die eine überlegene Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit im Vergleich zu Silizium bietet. Zusätzlich mit dem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und der kompakten Chipgröße. Es gewährleistet eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Dementsprechend umfassen die Systemvorteile höchste Effizienz, schnellere Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße.
Verwendet in der Telekommunikation Hohe Zuverlässigkeit bei hohen Umgebungstemperaturen Hohe Schaltgeschwindigkeit und niedrige Kapazität