Infineon P-Kanal, THT MOSFET 650 V / 36 A, 3-Pin TO-247

Der 650 V CoolMOS CFD7 von Infineon erweitert das Spannungsklassenangebot der CFD7-Familie und ist ein Nachfolger des 650 V CoolMOS CFD2. Das Ergebnis ist eine verbesserte Schaltleistung und ein hervorragendes thermisches Verhalten. Das Produkt bietet höchste Effizienz bei resonanten Schalttopologien wie LLC und Phasenverschiebungs-Vollbrücke (ZVS). Als Teil von Infineons schnellem Body-Dioden-Portfolio vereint diese neue Produktserie alle Vorteile einer schnellen Schalttechnologie mit einer überragenden Robustheit bei der harten Kommutierung. Die Technologie erfüllt höchste Effizienz- und Zuverlässigkeitsstandards und unterstützt darüber hinaus Lösungen mit hoher Leistungsdichte.

Hervorragende Robustheit bei harter Kommutierung
Zusätzliche Sicherheitsspanne für Designs mit erhöhter Busspannung
Hervorragender Wirkungsgrad bei geringer Last in industriellen SMPS-Anwendungen
Verbesserter Wirkungsgrad bei voller Last in industriellen SMPS-Anwendungen