Infineon IPW Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 60 A 81 W, 3-Pin TO-247

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
250-0598
Herst. Teile-Nr.:
IPW65R060CFD7XKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

60A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-247

Serie

IPW

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der 650 V CoolMOS CFD7 von Infineon erweitert das Spannungsklassenangebot der CFD7-Familie und ist ein Nachfolger des 650 V CoolMOS CFD2. Das Ergebnis ist eine verbesserte Schaltleistung und ein hervorragendes thermisches Verhalten. Das Produkt bietet höchste Effizienz bei resonanten Schalttopologien wie LLC und Phasenverschiebungs-Vollbrücke (ZVS). Als Teil von Infineons schnellem Body-Dioden-Portfolio vereint diese neue Produktserie alle Vorteile einer schnellen Schalttechnologie mit einer überragenden Robustheit bei der harten Kommutierung. Die Technologie erfüllt höchste Effizienz- und Zuverlässigkeitsstandards und unterstützt darüber hinaus Lösungen mit hoher Leistungsdichte.

Hervorragende Robustheit bei harter Kommutierung

Zusätzliche Sicherheitsspanne für Designs mit erhöhter Busspannung

Hervorragender Wirkungsgrad bei geringer Last in industriellen SMPS-Anwendungen

Verbesserter Wirkungsgrad bei voller Last in industriellen SMPS-Anwendungen

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