Infineon BSS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 280 mA 81 W, 3-Pin SOT-323
- RS Best.-Nr.:
- 250-0542P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS138WH6327XTSA1
- Hersteller:
- Infineon
Zwischensumme (10 Stück, auf Gurtabschnitt geliefert)*
€ 1,94
(ohne MwSt.)
€ 2,33
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- 17 900 Einheit(en) mit Versand ab 10. Dezember 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 10 + | € 0,194 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 250-0542P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS138WH6327XTSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 280mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SOT-323 | |
| Serie | BSS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6000mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 280mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SOT-323 | ||
Serie BSS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6000mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Infineons SIPMOS Small-Signal-Transistor, N-Kanal, Enhancement-Modus. Das Gerät ist dv /dt-zertifiziert und hat eine Pb-freie Bleibeschichtung. Das Produkt hat eine Vds von 60 V, ein Rds(on)max von 3,5 Ω und ein Id von 0,28 A. Es handelt sich um einen halogenfreien P-Kanal-Transistor im Enhancement-Modus, der häufig in Anwendungen mit hohem Schaltvermögen eingesetzt wird. Das Produkt ist Avalanche-getestet und halogenfrei.
100 % bleifrei
Maximale Verlustleistung: 360 mW