Infineon BSP N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 0.12 A 81 W, 3-Pin SOT-223

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RS Best.-Nr.:
250-0528
Herst. Teile-Nr.:
BSP125H6433XTMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

0.12A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

SOT-223

Serie

BSP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Infineons Small Signal N-Kanal-Produkte sind für Automobilanwendungen geeignet. Dieser SIPMOS-Leistungstransistor ist ein N-Kanal-Leistungstransistor im Enhancement-Modus mit einer Vds von 600 V, einem Rds(on) von 45 Ω und einem Id von 0,12 A. Er ist für dv/dt ausgelegt.

Pb-freie Bleibeschichtung

Maximale Verlustleistung ist 360 mW

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