Infineon BSD235C Typ N, Typ P-Kanal 2 MOSFET 20 V Erweiterung / 0.95 A 0.5 W, 6-Pin US
- RS Best.-Nr.:
- 250-0523P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSD235CH6327XTSA1
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 250-0523P
- Herst. Teile-Nr.:
- BSD235CH6327XTSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N, Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 0.95A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | BSD235C | |
| Gehäusegröße | US | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±12 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.5W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N, Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 0.95A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie BSD235C | ||
Gehäusegröße US | ||
Pinanzahl 6 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±12 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.5W | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Infineon fertigt diesen komplementären P + N-Kanal mit 20 V, der häufig in Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz Einsatz findet. Das Produkt ist Avalanche-getestet und halogenfrei. Dieser Enhancement-Modus-Mosfet bietet Super-Logic-Level (2,5 V Nennspannung). Das Gerät ist Avalanche-getestet und 100 % bleifrei.
Superlogikpegel mit 2,5 V Nennleistung
Betriebstemperatur ist 150 °C