Infineon AUIRFS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 75 V / 230 A 81 W, 3-Pin TO-220

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249-6866
Herst. Teile-Nr.:
AUIRF1404Z
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

230A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

AUIRFS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3mΩ

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

4.83mm

Breite

10.67 mm

Länge

16.51mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der HEXFET-Leistungs-MOSFET von Infineon nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieser für die Automobilindustrie qualifizierten HEXFET-Leistungs-MOSFETs sind eine Sperrschicht-Betriebstemperatur von 175 °C, eine hohe Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte Avalanche-Wiederholungsrate.

Fortschrittliche Prozesstechnologie

Extrem niedriger Einschaltwiderstand

Betriebstemperatur 175 °C

Schnelles Schalten

Vollständige Avalanche-Bewertung Wiederholte Avalanche bis zu Tjmax erlaubt

Bleifrei, RoHS-konform

Qualifiziert im Automobilbereich

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