ROHM R6530KNX3 Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 650 V / 30 A 104 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 249-1126
- Herst. Teile-Nr.:
- R6530KNX3C16
- Hersteller:
- ROHM
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- RS Best.-Nr.:
- 249-1126
- Herst. Teile-Nr.:
- R6530KNX3C16
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- ROHM
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | R6530KNX3 | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 104W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 56nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie R6530KNX3 | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 104W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 56nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Rohm Hochgeschwindigkeits-Schaltstrom-Leistungs-MOSFET mit N-Kanal 650 V, 30 A sind Hochgeschwindigkeits-Schaltprodukte, Super Junction MOSFETs, die einen Schwerpunkt auf hoher Effizienz legen. Diese Produkte der Serie erreichen eine höhere Effizienz durch Hochgeschwindigkeitsschalten, h
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Extrem schnelles Schalten
Parallele Nutzung ist einfach
Pb-frei Beschichtung
RoHs-konform
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