DiodesZetex Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 99 A 1.73 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
246-7546
Herst. Teile-Nr.:
DMT10H9M9SCT
Hersteller:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

99A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.016Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

1.73W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.82 mm

Länge

10.66mm

Höhe

31.24mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der DiodesZetex stellt einen N-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET der neuen Generation her, der den Widerstand im eingeschalteten Zustand (RDS(ON)) minimiert und gleichzeitig eine schnelle Schaltleistung aufrechterhält, womit er ideal für hocheffiziente Leistungsmanagementanwendungen ist. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem TO220AB-Gehäuse geliefert. Er bietet schnelles Schalten und einen hohen Wirkungsgrad. Seine zu 100 % ungeklemmte induktive Schaltung sorgt für eine zuverlässigere und robustere Endanwendung.

Die maximale Ableitungs-Quellenspannung beträgt 100 V und die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±20 V. Sie bietet einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand. Sie hat eine hohe BVDSS-Nennleistung für Leistungsanwendungen. Sie bietet eine niedrige Eingangskapazität.

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