DiodesZetex DMP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 10.7 A 1.73 W, 6-Pin TSOT-26
- RS Best.-Nr.:
- 246-7530
- Herst. Teile-Nr.:
- DMP3097L-7
- Hersteller:
- DiodesZetex
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- DMP3097L-7
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- DiodesZetex
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 12V | |
| Gehäusegröße | TSOT-26 | |
| Serie | DMP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 41mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.73W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.4 mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Länge | 3mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 12V | ||
Gehäusegröße TSOT-26 | ||
Serie DMP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 41mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.73W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.4 mm | ||
Höhe 1mm | ||
Länge 3mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der DiodesZetex stellt einen P-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET her, der den Widerstand im eingeschalteten Zustand (RDS(ON)) minimiert und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechterhält, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem SOT23-Gehäuse geliefert. Er bietet schnelles Schalten und einen hohen Wirkungsgrad. Dieser MOSFET bietet niedrige Eingangs-/Ausgangslecks.
Die maximale Ableitungs-Quellenspannung beträgt 20 V. Die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±6 V. Sie bietet eine niedrige Gate-Schwellenspannung. Sie bietet eine niedrige Eingangskapazität
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