DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 230 mA 300 mW, 3-Pin SC-89
- RS Best.-Nr.:
- 246-7514P
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2710UTQ-7
- Hersteller:
- DiodesZetex
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 230mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | SC-89 | |
| Serie | DMN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 15Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300mW | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12.9nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 1.7mm | |
| Breite | 0.85mm | |
| Höhe | 0.8mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 230mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße SC-89 | ||
Serie DMN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 15Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300mW | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12.9nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 1.7mm | ||
Breite 0.85mm | ||
Höhe 0.8mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der DiodesZetex stellt einen N-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET her, der den Widerstand im eingeschalteten Zustand (RDS(ON)) minimiert und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechterhält, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem SOT523-Gehäuse geliefert. Er bietet schnelles Schalten und einen hohen Wirkungsgrad.
Die maximale Drain-Quellenspannung beträgt 20 V. Die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±6 V. Sie bietet eine ultrakleine Gehäusegröße. Ihr thermisch effizientes Gehäuse ermöglicht Endprodukte mit höherer Dichte