DiodesZetex DMN N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 230 mA 300 mW, 3-Pin SC-89
- RS Best.-Nr.:
- 246-6801
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2710UTQ-7
- Hersteller:
- DiodesZetex
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
€ 207,00
(ohne MwSt.)
€ 249,00
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 04. Juni 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | € 0,069 | € 207,00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 246-6801
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2710UTQ-7
- Hersteller:
- DiodesZetex
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 230mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | SC-89 | |
| Serie | DMN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 15Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 12.9nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300mW | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 850μm | |
| Länge | 1.7mm | |
| Höhe | 800μm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 230mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße SC-89 | ||
Serie DMN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 15Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 12.9nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300mW | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 850μm | ||
Länge 1.7mm | ||
Höhe 800μm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der DiodesZetex stellt einen N-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET her, der den Widerstand im eingeschalteten Zustand (RDS(ON)) minimiert und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechterhält, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem SOT523-Gehäuse geliefert. Er bietet schnelles Schalten und einen hohen Wirkungsgrad.
Die maximale Drain-Quellenspannung beträgt 20 V. Die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±6 V. Sie bietet eine ultrakleine Gehäusegröße. Ihr thermisch effizientes Gehäuse ermöglicht Endprodukte mit höherer Dichte