DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 230 mA 300 mW, 3-Pin SC-89

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

€ 162,00

(ohne MwSt.)

€ 195,00

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 11. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +€ 0,054€ 162,00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
246-6801
Herst. Teile-Nr.:
DMN2710UTQ-7
Hersteller:
DiodesZetex
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

230mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

DMN

Gehäusegröße

SC-89

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

15Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

10 V

Maximale Verlustleistung Pd

300mW

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

12.9nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

1.7mm

Breite

0.85 mm

Höhe

0.8mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Der DiodesZetex stellt einen N-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET her, der den Widerstand im eingeschalteten Zustand (RDS(ON)) minimiert und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung aufrechterhält, womit er ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen ist. Es handelt sich um ein umweltfreundliches Gerät, das vollständig blei-, halogen- und antimonfrei ist. Dieser MOSFET wird in einem SOT523-Gehäuse geliefert. Er bietet schnelles Schalten und einen hohen Wirkungsgrad.

Die maximale Drain-Quellenspannung beträgt 20 V. Die maximale Gate-Quellenspannung beträgt ±6 V. Sie bietet eine ultrakleine Gehäusegröße. Ihr thermisch effizientes Gehäuse ermöglicht Endprodukte mit höherer Dichte

Verwandte Links