Littelfuse Typ N-Kanal, Oberfläche SiC-Leistungsmodul Erweiterung 12 V / 36 A 446 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 245-6995
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFA36N60X3
- Hersteller:
- Littelfuse
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|---|---|---|
| 50 - 50 | € 5,649 | € 282,45 |
| 100 - 450 | € 4,914 | € 245,70 |
| 500 - 950 | € 4,463 | € 223,15 |
| 1000 - 2450 | € 4,344 | € 217,20 |
| 2500 + | € 4,237 | € 211,85 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 245-6995
- Herst. Teile-Nr.:
- IXFA36N60X3
- Hersteller:
- Littelfuse
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Littelfuse | |
| Produkt Typ | SiC-Leistungsmodul | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 36A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 12V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 90mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 446W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.4V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Littelfuse | ||
Produkt Typ SiC-Leistungsmodul | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 36A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 12V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 90mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 446W | ||
Durchlassspannung Vf 1.4V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Dieses Littelfuse Produkt ist ein 600-V-Ultra-Junction-MOSFET der X3-Klasse, erhältlich in 36 A Nennstrom und TO263-Gehäuse. Diese Leistungs-MOSFETs verfügen über einen deutlich reduzierten Kanalwiderstand RDSon und Gate-Ladung Qg. Sie zeichnen sich durch die niedrigsten Werte für RDS Qg und RthJC aus. Diese Vorteile ermöglichen es Entwicklern, eine höhere Effizienz mit vereinfachter thermischer Bauweise zu erreichen. Diese Leistungs-MOSFETs der Serie HiPerFETs verfügen über Gehäusedioden, die eine niedrige Rückgewinnungsladung und eine kurze Rückgewinnungszeit bieten.
Geringe statische Verluste
Gut geeignet für Hochfrequenzanwendungen
Vereinfachtes thermisches Design
Hohe Robustheit gegen Überspannung
Niedriger Gate-Ansteuerungsleistungsbedarf
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