Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 75 V / 180 A 81 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
244-8544
Herst. Teile-Nr.:
IPD050N10N5ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

180A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Serie

IPD

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3mΩ

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

MOSFET der IPD-Serie von Infineon, 75 V maximale Drain-Source-Spannung, 180 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPD050N10N5ATMA1


Dieser MOSFET ist ein oberflächenmontierter N-Kanal-Leistungstransistor, der für Hochstromschaltungen in anspruchsvollen Umgebungen entwickelt wurde und eine große Betriebstemperaturtoleranz und die Einhaltung von Industriestandards bietet.

Merkmale und Vorteile:


• Die maximale Ablass-Quellenspannung von 75 V ermöglicht das Schalten bei mittlerer Spannung
• 180 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt Hochstromanwendungen
• Niedriger Einschaltwiderstand von 3 mΩ minimiert Leitungsverluste
• 81 W Verlustleistung ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• 80 nC typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbare Gate-Drive-Anforderungen
• Maximale Gate-Source-Nennleistung von 20 V ermöglicht einen robusten Gate-Antrieb

Anwendungsbereich


• Geeignet für Kraftfahrzeug-Stromverteilereinheiten
• Ideal für DC/DC-Wandler in Industrieanlagen
• Wird für Motorantriebsstufen verwendet, die einen hohen Strom erfordern
• Kann für Batteriemanagement und Schutz verwendet werden
• Wird mit Leistungsschaltkreisen an oberflächenmontierten Baugruppen verwendet

In welchem Temperaturbereich kann das Gerät betrieben werden?


Er funktioniert in einem erweiterten Bereich von -55 °C bis 175 °C und unterstützt raue thermische Bedingungen.

Wie wirkt sich das Gehäuse auf die Montage und die thermische Leistung aus?


Das oberflächenmontierbare TO-252-Gehäuse bietet eine kompakte Grundfläche und erleichtert die Wärmeübertragung auf die Leiterplatte für das Wärmemanagement.

Welche Diodencharakteristik ist für die Vorwärtsleitung relevant?


Die intrinsische Diode weist während der Leitung eine Durchlassspannung von ca. 1,3 V auf.

Ist er für Anwendungen mit Materialbeschränkungen aus der Umwelt geeignet?


Er erfüllt die RoHS-Anforderungen und erfüllt die Beschränkungen für bestimmte gefährliche Stoffe.

Welche Kanalausrichtung und welche Art von Modus wird verwendet?


Er verfügt über einen N-Typ-Kanal, der im Verstärkungsmodus für Standard-Leistungsschaltverhalten arbeitet.

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