Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 75 V / 180 A 81 W, 3-Pin TO-252

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

€ 4,39

(ohne MwSt.)

€ 5,268

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 1 566 Einheit(en) mit Versand ab 28. Jänner 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 18€ 2,195€ 4,39
20 - 48€ 1,845€ 3,69
50 - 98€ 1,705€ 3,41
100 - 198€ 1,605€ 3,21
200 +€ 1,465€ 2,93

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
244-8544
Herst. Teile-Nr.:
IPD050N10N5ATMA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

180A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

IPD

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3mΩ

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon MOSFET OptiMOSTM5 Leistungstransistor verfügt über eine bleifreie Beschichtung, RoHS-konform und ist halogenfrei gemäß IEC61249-2-21.

N-Kanal, normale

Ausgezeichnete gate-ladung x RDS(on) -Produkt (BFM)

Sehr niedriger Einschaltwiderstand RDS(on)

175 °C Betriebstemperatur

Ideal für Hochfrequenzschaltungen

Verwandte Links