Infineon CoolSiC N-Kanal, Oberfläche MOSFET 75 V / 52 A 81 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 244-2910P
- Herst. Teile-Nr.:
- AIMW120R045M1XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
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- 244-2910P
- Herst. Teile-Nr.:
- AIMW120R045M1XKSA1
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- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 52A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 75V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Durchlassspannung Vf | 5.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 57nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 21.5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 16.3mm | |
| Höhe | 5.3mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 52A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 75V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie CoolSiC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Durchlassspannung Vf 5.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 57nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 21.5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 16.3mm | ||
Höhe 5.3mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon AIMW120R045M1XKSA1 wurde speziell entwickelt, um die hohen Anforderungen der Automobilindustrie in Bezug auf Zuverlässigkeit, Qualität und Leistung zu erfüllen. Die Erhöhung der Schaltfrequenz für einen Konverter mit CoolSiC TM MOSFETs kann zu einer drastisch verringerten Menge und Gewicht der magnetischen Komponenten um bis zu 25 % führen, was zu einer erheblichen Kostensteigerung der Anwendung selbst führt. Der Leistungsgewinn erfüllt neue Regelungsstandards in Bezug auf höhere Effizienzanforderungen für Elektrofahrzeuge.
Revolutionäres Halbleitermaterial - Siliziumkarbid (Siliziumkarbid) Sehr geringe Schaltverluste
Schwellenfreie Einschaltkennlinie (IGBT-kompatible Treiberspannung) (15 V zum Einschalten)
0-V-Gate-Abschaltspannung
Referenz-Gate-Schwellenspannung, VGS(th)=4,5 V
Vollständig steuerbarer dv/dt
Kommutierung robuste Gehäusediode, bereit für synchrone Gleichrichtung Temperaturunabhängige Abschaltverluste