Infineon N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 11 A, 3-Pin TO-252

Die CoolMOS C7-Leistungs-MOSFETs von Infineon sind ein revolutionärer Schritt in der Technologie und bieten niedrige RDS(on)/Gehäuse und dank ihrer geringen Schaltverluste Effizienzverbesserungen über den gesamten Lastbereich. Sie bieten den weltweit niedrigsten RDS(on) von 19 mΩ in einem TO-247 und 45 mΩ in TO-220- und D2PAK-Gehäusen. Die schnelle Schaltleistung des C7 ermöglicht es Kunden, mit Schaltfrequenzen von mehr als 100 kHz zu arbeiten und gleichzeitig einen Titan-Wirkungsgrad in Server-PFC-Stufen zu erreichen.

650-V-Spannung
Revolutionär best-in-Class RDS (on)/Gehäuse
Geringere gespeicherte Energie in der Ausgangskapazität (Eoss)
Geringere Gate-Ladung Qg
Platzersparnis durch Einsatz kleinerer Gehäuse oder Reduzierung von Teilen
Verbesserte Sicherheitsmarge und geeignet für SMPS- und Solar-Wechselrichteranwendungen
Niedrigste Leitungsverluste/Gehäuse
Geringe Schaltverluste
Besserer leichter Lastwirkungsgrad
Erhöhte Leistungsdichte