Infineon IPT Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 800 V / 400 A 81 W, 8-Pin TO-263

View all MOSFET
Bulk discount available

Subtotal (1 unit)*

€ 4,02

(exc. VAT)

€ 4,82

(inc. VAT)

Add to Basket
Select or type quantity
Auf Lager
  • 1 780 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Units
Per unit
1 - 9€ 4,02
10 - 24€ 3,82
25 - 49€ 3,74
50 - 99€ 3,50
100 +€ 3,25

*price indicative

Packaging Options:
RS Stock No.:
244-0904
Mfr. Part No.:
IPT020N10N5ATMA1
Brand:
Infineon
Find similar products by selecting one or more attributes.
Select all

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

400A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Serie

IPT

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.2mΩ

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Industrial Power MOSFET IPT020N10N5 in TO-Leadless von Infineon ist die ideale Wahl für hohe Schaltfrequenzen.

Ideal für Hochfrequenzschaltung und Synchronisierung

Ausgezeichnete Gate-Ladung x RDS(on)Produkt(FOM)

Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand RDS(on)

Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand RDS(on)

Related links