ROHM RYM002N05 Typ N-Kanal MOSFET N 0.9 V / 10.3 A 104 W ESM
- RS Best.-Nr.:
- 244-0123
- Herst. Teile-Nr.:
- RYM002N05T2CL
- Hersteller:
- ROHM
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- RS Best.-Nr.:
- 244-0123
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- RYM002N05T2CL
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- ROHM
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 0.9V | |
| Serie | RYM002N05 | |
| Gehäusegröße | ESM | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.7mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 104W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 0.9V | ||
Serie RYM002N05 | ||
Gehäusegröße ESM | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.7mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 104W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Rohm MOSFETs werden als extrem niedriger Einschaltwiderstand durch die Mikroverarbeitungstechnologien hergestellt, die für mobile Geräte mit niedrigem Stromverbrauch geeignet sind. In einer breiten Palette von kompakten Typen, Hochleistungsausführungen und komplexen Typen, um den Anforderungen des Marktes gerecht zu werden, und er wird mit einer Packung von 8000 Einheiten geliefert.
Niederspannungs-(0,9 V)-Antriebstyp
N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
Kleines SMD-Gehäuse
Bleifrei/RoHS-konform
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