Infineon IPA Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 84 A 81 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
242-0986
Herst. Teile-Nr.:
IPA80R1K2P7XKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

84A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

IPA

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.9mΩ

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-MOSFET von Infineon bietet einen maximalen kontinuierlichen Ablassstrom von 4,5 A und eine Ablassquellenspannung von 800 V. Er konzentriert sich hauptsächlich auf Flyback-Anwendungen einschließlich Adapter und Ladegerät, LED-Treiber, Audio-SMPS, AUX und industrielle Stromversorgung. Die Betriebstemperatur des MOSFETs beträgt -55 °C bis 150 °C.

Best-in-Klasse-Leistung.

Ermöglicht Designs mit höherer Leistungsdichte.

BOM-Einsparungen und geringere Montagekosten.

Einfach zu betreiben und parallel zu betreiben.

Bessere Produktionsleistung durch Reduzierung von ESD-Ausfällen.

Weniger Produktionsprobleme und geringere Feldrückstellungen.

Einfache Auswahl der richtigen Teile für die Feinabstimmung von Designs

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