Infineon IPL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 700 V / 9.4 A 25.5 W, 5-Pin ThinPAK 5x6
- RS Best.-Nr.:
- 240-8544P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPLK70R750P7ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Gehäusegröße | ThinPAK 5x6 | |
| Serie | IPL | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.2mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 25.5W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.35mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Gehäusegröße ThinPAK 5x6 | ||
Serie IPL | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.2mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 25.5W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.35mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Die MOSFET-Familie CoolMOS™ P7 Super Junction (SJ) von Infineon wurde entwickelt, um typische Herausforderungen auf dem energiesparenden SMPS-Markt zu bewältigen, indem sie ausgezeichnete Leistung und Benutzerfreundlichkeit bieten und verbesserte Formfaktoren und Preiswettbewerbsfähigkeit ermöglichen. Das ThinPAK 5x6-Gehäuse zeichnet sich durch eine sehr kleine Abmessung von 5 x 6 mm2 und ein sehr flaches Profil mit einer Höhe von 1 mm aus. Zusammen mit der niedrigen Parasität führen diese Merkmale zu erheblich kleineren Formfaktoren und helfen dabei, die Leistungsdichte zu steigern. Diese Kombination macht den CoolMOS™ P7 in ThinPAK perfekt für seine Zielanwendungen. Die 700 V CoolMOS™ P7-Familie ist optimiert für Flyback-Topologien.
Extrem niedrige Verluste
Ausgezeichnetes thermisches Verhalten
Integrierte ESD-Schutzdiode
Geringe Schaltverluste (Eoss)
Vollständig qualifiziert gemäß JEDEC für industrielle Anwendungen
Klassenbeste Qualität und Zuverlässigkeit
Niedrige elektromagnetische Störungen
Großer Bereich von RDS(on)-Werten
Vollständig optimiertes Portfolio