Vishay EF N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Entleerung 650 V / 95 A 521 W, 3-Pin TO-247AC
- RS Best.-Nr.:
- 239-8629P
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHG026N60EF-GE3
- Hersteller:
- Vishay
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 5 Stück (geliefert in Stange)*
€ 65,40
(ohne MwSt.)
€ 78,50
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 495 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 5 - 9 | € 13,08 |
| 10 - 24 | € 12,06 |
| 25 - 49 | € 11,74 |
| 50 + | € 11,44 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 239-8629P
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHG026N60EF-GE3
- Hersteller:
- Vishay
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 95A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-247AC | |
| Serie | EF | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.023Ω | |
| Channel-Modus | Entleerung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 63nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 521W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 95A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-247AC | ||
Serie EF | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.023Ω | ||
Channel-Modus Entleerung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 63nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 521W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Leistungs-MOSFET der EF-Serie von Vishay, 650 V Drain-Source-Spannung, 95 A kontinuierlicher Drain-Strom – SIHG026N60EF-GE3
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Gerät, das für anspruchsvolle Leistungsumwandlungs- und Schaltaufgaben in gewerblichen und Automobilumgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen erweiterten Temperaturbereich und wird in einem TO-247AC-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist, wodurch er sich dort eignet, wo eine robuste thermische Leistung und eine kompakte Montage erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• Drain-Source-Festigkeit von 650 V für Hochspannungsschaltanwendungen
• 95 A kontinuierlicher Ablassstrom für die Handhabung schwerer Lasten
• 0,023 Ω Rds(on), um Leitungsverluste zu reduzieren
• 521 W Verlustleistung für dauerhafte Leistungsabgabe
• 63 nC typische Gate-Ladung für vorhersehbares Schaltverhalten
• 30 V Gate-Source-Nennleistung für breite Gate-Antriebsspannungen
• 95 A kontinuierlicher Ablassstrom für die Handhabung schwerer Lasten
• 0,023 Ω Rds(on), um Leitungsverluste zu reduzieren
• 521 W Verlustleistung für dauerhafte Leistungsabgabe
• 63 nC typische Gate-Ladung für vorhersehbares Schaltverhalten
• 30 V Gate-Source-Nennleistung für breite Gate-Antriebsspannungen
Anwendungen
• Geeignet für Hochspannungsnetzteile und Wandler
• Ideal für Kraftfahrzeugantriebe und Hilfssysteme
• Wird für industrielle Motorantriebe und Wechselrichter verwendet
• Kann für Server- und Telekommunikations-Stromversorgungsmodule verwendet werden
• Geeignet für Batteriemanagement und EV-Ladephasen
• Ideal für Kraftfahrzeugantriebe und Hilfssysteme
• Wird für industrielle Motorantriebe und Wechselrichter verwendet
• Kann für Server- und Telekommunikations-Stromversorgungsmodule verwendet werden
• Geeignet für Batteriemanagement und EV-Ladephasen
Welche Betriebstemperaturen verträgt er?
Er funktioniert zuverlässig von -55 °C bis +150 °C und unterstützt extreme thermische Umgebungen.
Wie wirkt sich das Gehäuse auf das Wärmemanagement aus?
Das TO-247AC-Gehäuse bietet eine große Wärmeleitfläche, die mit Kühlkörpern und Leiterplattenmontage kompatibel ist und eine effektive Wärmeübertragung ermöglicht.
Welche Überlegungen zum Gate-Drive sind erforderlich?
Das Gerät nimmt Gate-Source-Spannungen bis zu 30 V auf, daher sollten Gate-Treiber so ausgewählt werden, dass sie innerhalb dieser Grenze bleiben und gleichzeitig eine ordnungsgemäße Verstärkung gewährleisten.
Ist sie für die Qualifizierung im Automobilbereich geeignet?
Er erfüllt die AEC-Q101-Normen, was darauf hinweist, dass er für bestimmte Anwendungen in der Automobilelektronik geeignet ist.
