Vishay EF N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Entleerung 650 V / 95 A 521 W, 3-Pin TO-247AC

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239-8629P
Herst. Teile-Nr.:
SIHG026N60EF-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

95A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-247AC

Serie

EF

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.023Ω

Channel-Modus

Entleerung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

63nC

Gate-Source-spannung max Vgs

30V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

521W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

+150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Leistungs-MOSFET der EF-Serie von Vishay, 650 V Drain-Source-Spannung, 95 A kontinuierlicher Drain-Strom – SIHG026N60EF-GE3


Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Gerät, das für anspruchsvolle Leistungsumwandlungs- und Schaltaufgaben in gewerblichen und Automobilumgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen erweiterten Temperaturbereich und wird in einem TO-247AC-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist, wodurch er sich dort eignet, wo eine robuste thermische Leistung und eine kompakte Montage erforderlich sind.

Merkmale und Vorteile:


• Drain-Source-Festigkeit von 650 V für Hochspannungsschaltanwendungen
• 95 A kontinuierlicher Ablassstrom für die Handhabung schwerer Lasten
• 0,023 Ω Rds(on), um Leitungsverluste zu reduzieren
• 521 W Verlustleistung für dauerhafte Leistungsabgabe
• 63 nC typische Gate-Ladung für vorhersehbares Schaltverhalten
• 30 V Gate-Source-Nennleistung für breite Gate-Antriebsspannungen

Anwendungen


• Geeignet für Hochspannungsnetzteile und Wandler
• Ideal für Kraftfahrzeugantriebe und Hilfssysteme
• Wird für industrielle Motorantriebe und Wechselrichter verwendet
• Kann für Server- und Telekommunikations-Stromversorgungsmodule verwendet werden
• Geeignet für Batteriemanagement und EV-Ladephasen

Welche Betriebstemperaturen verträgt er?


Er funktioniert zuverlässig von -55 °C bis +150 °C und unterstützt extreme thermische Umgebungen.

Wie wirkt sich das Gehäuse auf das Wärmemanagement aus?


Das TO-247AC-Gehäuse bietet eine große Wärmeleitfläche, die mit Kühlkörpern und Leiterplattenmontage kompatibel ist und eine effektive Wärmeübertragung ermöglicht.

Welche Überlegungen zum Gate-Drive sind erforderlich?


Das Gerät nimmt Gate-Source-Spannungen bis zu 30 V auf, daher sollten Gate-Treiber so ausgewählt werden, dass sie innerhalb dieser Grenze bleiben und gleichzeitig eine ordnungsgemäße Verstärkung gewährleisten.

Ist sie für die Qualifizierung im Automobilbereich geeignet?


Er erfüllt die AEC-Q101-Normen, was darauf hinweist, dass er für bestimmte Anwendungen in der Automobilelektronik geeignet ist.

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