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    Microchip TN5325 TN5325K1-G N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 150 mA, 3-Pin TO-92

    RS Best.-Nr.:
    239-5617
    Herst. Teile-Nr.:
    TN5325K1-G
    Hersteller:
    Microchip
    Microchip
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    Voraussichtlich ab 12.4.2023 verfügbar.
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    Datenblätter und Anleitungen


    Rechtliche Anforderungen


    Informationen zur Produktgruppe

    Der Transistor der Microchip TN5325-Serie mit niedrigem Schwellenwert, Anreicherungstyp (normalerweise aus) nutzt eine vertikale DMOS-Struktur und einen bewährten Silizium-Gate-Fertigungsprozess. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist.

    Niedriger Schwellenwert von max. 2 V
    Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung
    Anstiegszeit von 15 ns
    Ausschaltverzögerung von 25 ns
    Abfallzeit von 25 ns


    Technische Daten des gezeigten Artikels

    EigenschaftWert
    Channel-TypN
    Dauer-Drainstrom max.150 mA
    Drain-Source-Spannung max.250 V
    GehäusegrößeTO-92
    Montage-TypTHT
    Pinanzahl3
    Channel-ModusEnhancement
    Gate-Schwellenspannung max.2V
    Anzahl der Elemente pro Chip1
    Transistor-WerkstoffSilicon
    SerieTN5325
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