Microchip VP0106 Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 30 V / 140 A 1.6 W, 3-Pin TO-92
- RS Best.-Nr.:
- 236-8962P
- Herst. Teile-Nr.:
- VP0106N3-G
- Hersteller:
- Microchip
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- VP0106N3-G
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 140A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | TO-92 | |
| Serie | VP0106 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.6W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.8V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 140A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße TO-92 | ||
Serie VP0106 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.6W | ||
Durchlassspannung Vf 1.8V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Microchip Anreicherungstransistor im Ruhezustand verwendet eine vertikale DMOS-Struktur und den bewährten Silizium-Gate-Fertigungsprozess von Supertex. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikalen DMOS FETs sind ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen geeignet, bei denen sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchschlagsspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.
Frei von sekundärer Durchschlagsspannung
Niedrige Anforderung an die Stromversorgung
Einfacher Parallelbetrieb
Niedrige CISS und schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Ausgezeichnete Temperaturstabilität
Integrierte Source-Drain-Diode
Hohe Eingangsimpedanz und hohe Verstärkung