Infineon CoolMOS N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 700 V / 22 A 127 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 236-3674P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW65R110CFD7XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt sichern
20 weitere Einheiten hinzufügen, um € 10,90 zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 10 Stück (geliefert in Stange)*
€ 54,60
(ohne MwSt.)
€ 65,50
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- Zusätzlich 206 Einheit(en) mit Versand ab 09. November 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|
| 10 - 18 | € 5,46 | - |
| 20 - 48 | € 4,915 | € 10,90 |
| 50 - 98 | € 4,42 | € 52,00 |
| 100 + | € 4,20 | € 126,00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 236-3674P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW65R110CFD7XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 22A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 110mΩ | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 53nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 127W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 16.13mm | |
| Breite | 5.21mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 21.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 22A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie CoolMOS | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 110mΩ | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 53nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 127W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 16.13mm | ||
Breite 5.21mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 21.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon CoolMOS Super Junction MOSFET mit integrierter, schneller Gehäusediode ist die perfekte Wahl für resonante Hochleistungs-Topologien. Er ist ideal für industrielle Anwendungen wie Server-, Telekommunikations-, Solar- und EV-Ladestationen, Dies ermöglicht erhebliche Effizienzverbesserungen im Vergleich zur Konkurrenz. Er hat einen Abflussstrom von 22 A.
Ausgezeichnete Robustheit bei harter Kommutierung
Zusätzliche Sicherheitsmarge für Designs mit erhöhter Busspannung
Ermöglicht eine erhöhte Leistungsdichte
Hervorragende Lichtlasteffizienz in industriellen SMPS-Anwendungen
Verbesserte Volllast-Effizienz in industriellen SMPS-Anwendungen
Preiswettbewerbsfähigkeit im Vergleich zu alternativen Angeboten auf dem Markt