Toshiba Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 2 A 2 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 236-3573P
- Herst. Teile-Nr.:
- SSM3J356R,LF(T
- Hersteller:
- Toshiba
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- SSM3J356R,LF(T
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Toshiba | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 400mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8.3nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 2.9mm | |
| Höhe | 800μm | |
| Länge | 2.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Toshiba | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 400mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.3nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 2.9mm | ||
Höhe 800μm | ||
Länge 2.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Toshiba Feldeffekttransistor besteht aus Siliziummaterial und hat P-Kanal-MOS-Typ. Er wird hauptsächlich in Stromüberwachungsschaltanwendungen eingesetzt.
Lagertemperaturbereich: -55 bis 150 °C.