Infineon IPT N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 333 A 278 W, 8-Pin HSOF-8
- RS Best.-Nr.:
- 236-1587P
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT013N08NM5LFATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 333A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | HSOF-8 | |
| Serie | IPT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.3mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 158nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 278W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.1mm | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Breite | 10.58mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 333A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße HSOF-8 | ||
Serie IPT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.3mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 158nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 278W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.1mm | ||
Höhe 2.4mm | ||
Breite 10.58mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der IPT-Serie von Infineon, 80 V maximale Drain-Source-Spannung, 333 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPT013N08NM5LFATMA1
Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-N-Kanal-Transistor, der für die Oberflächenmontage in anspruchsvollen thermischen Umgebungen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Umgebungsbereich und liefert eine hohe kontinuierliche Ableitstrom- und Spannungsfähigkeit für Industrie- und Leistungsumwandlungsanwendungen.
Merkmale und Vorteile:
• 333 A kontinuierlicher Ablassstrom für die Handhabung schwerer Lasten
• 80 V Drain-to-Source-Nennleistung für Mittelspannungssysteme
• Niedrige Rds(on) von 1.3 mΩ zur Reduzierung von Leitungsverlusten
• Maximale Verlustleistung von 278 W für den thermischen Kopfraum
• 158 nC typische Gate-Ladung für vorhersehbares Schaltverhalten
• 80 V Drain-to-Source-Nennleistung für Mittelspannungssysteme
• Niedrige Rds(on) von 1.3 mΩ zur Reduzierung von Leitungsverlusten
• Maximale Verlustleistung von 278 W für den thermischen Kopfraum
• 158 nC typische Gate-Ladung für vorhersehbares Schaltverhalten
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochstrom-DC/DC-Wandler
• Ideal für Motorantriebe und Traktionsumrichter
• Wird mit Stromverteilungsmodulen in Servern verwendet
• Kann für leistungsstarke Batteriemanagementsysteme verwendet werden
• Ideal für Motorantriebe und Traktionsumrichter
• Wird mit Stromverteilungsmodulen in Servern verwendet
• Kann für leistungsstarke Batteriemanagementsysteme verwendet werden
Welcher Gate-Spannungsbereich ist für die Ansteuerung dieses Geräts zulässig?
Das Gate kann bis zu 20 V in Bezug auf die Quelle betrieben werden, ohne den angegebenen Grenzwert zu überschreiten.
Welches Gehäuse und welche Befestigungsart wird für die Montage verwendet?
Er wird in einem HSOF-8-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage auf Leiterplattenkonfektionen konfiguriert ist.
Wie verhält sich das Gerät bei niedrigen Temperaturen?
Er ist für den Betrieb bis zu -55 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Installationen mit kaltem Klima.
Welche physischen Ummantelungsmessungen sind für die Leiterplatten-Footprintplanung relevant?
Die Komponente misst 10,1 mm x 10,58 mm bei einer Höhe von 2,4 mm.
Ist dieses Gerät spezifiziert, um Standards in Automobilqualität zu erfüllen?
Es ist nicht als Komponente in Automobilqualität eingestuft.