Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 31 A 100 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:
235-4872
Herst. Teile-Nr.:
ISC230N10NM6ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

31A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

ISC

Gehäusegröße

TDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8.05mΩ

Maximale Verlustleistung Pd

100W

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

24nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

5.35mm

Länge

6.1mm

Automobilstandard

Nein

Der industrielle Leistungs-MOSFET OptiMOSTM 6 100 V von Infineon wurde für Anwendungen mit hoher Schaltfrequenz wie Telekommunikations- und Server-Stromversorgung entwickelt, ist aber auch die ideale Wahl für andere Anwendungen wie Solaranwendungen, Elektrowerkzeuge und Drohnen. Im Vergleich zu alternativen Produkten ermöglicht die führende dünne Wafer-Technologie von Infineon erhebliche Leistungsvorteile.

Niedrigere und weichere Umkehrerholung

Ideal für hohe Schaltfrequenzen

Hohe Lawinenenergie

RoHS-Konformität

Geringe Leitungsverluste

Geringe Schaltverluste

Umweltfreundlich

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