Infineon ISC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 31 A 100 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 235-4872
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC230N10NM6ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 235-4872
- Herst. Teile-Nr.:
- ISC230N10NM6ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 31A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Serie | ISC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8.05mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 24nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 100W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 5.35mm | |
| Breite | 1.2 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 31A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Serie ISC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8.05mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 24nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 100W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 5.35mm | ||
Breite 1.2 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon OptiMOS 6-MOSFET für industrielle Anwendungen mit 100 V wurde für Hochfrequenzanwendungen wie Telekommunikation und Servernetzteile entwickelt, ist aber auch die ideale Wahl für andere Anwendungen wie Solar, Elektrowerkzeuge und Drohnen. Im Vergleich zu alternativen Produkten ermöglicht die führende Dünnwafer-Technologie von Infineon erhebliche Leistungsvorteile.
Geringere und weichere Rückgewinnungsladung
Ideal für hohe Schaltfrequenzen
Hohe Lawinenenergie
RoHS-konform
Geringe Leitungsverluste
Niedrige Schaltverluste
Umweltfreundlich