ROHM N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 8.5 A 2 W, 8-Pin SOP
- RS Best.-Nr.:
- 235-2807P
- Herst. Teile-Nr.:
- SH8KB6TB1
- Hersteller:
- ROHM
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | SOP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 19.4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10.6nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 4.05mm | |
| Breite | 1.75mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 5.2mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße SOP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 19.4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10.6nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 4.05mm | ||
Breite 1.75mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 5.2mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
The ROHM low on-resistance MOSFET Ideal for switching applications. This product includes two 40V MOSFETs in a small surface mount package.
Pb-free plating
Halogen Free