ROHM N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1.2 kV / 14 A 108 W, 3-Pin TO-247N
- RS Best.-Nr.:
- 235-2801P
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT2280KEHRC11
- Hersteller:
- ROHM
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|---|---|
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 14A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1.2kV | |
| Gehäusegröße | TO-247N | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 280mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 108W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 36nC | |
| Durchlassspannung Vf | 4V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 14A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1.2kV | ||
Gehäusegröße TO-247N | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 280mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 108W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 36nC | ||
Durchlassspannung Vf 4V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
The ROHM SCT series N-channel SiC power MOSFET suitable for solar inverters, DC/DC converters, induction heating and motor drives. It has low on state resistance and fast switching speed.
Fast reverse recovery
Easy to parallel
Simple to drive
Pb-free lead plating
RoHS compliant