ROHM N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1.2 kV / 22 A 165 W, 3-Pin TO-247N
- RS Best.-Nr.:
- 235-2797P
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT2160KEHRC11
- Hersteller:
- ROHM
Mengenrabatt sichern
25 weitere Einheiten hinzufügen, um 1% zu sparen
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 10 Stück (geliefert in Stange)*
€ 202,40
(ohne MwSt.)
€ 242,90
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 18. Juni 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Ihre Ersparnis |
|---|---|---|
| 10 - 24 | € 20,24 | - |
| 25 - 49 | € 19,85 | 1% |
| 50 - 99 | € 19,08 | 5% |
| 100 + | € 18,70 | 7% |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 235-2797P
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT2160KEHRC11
- Hersteller:
- ROHM
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 22A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1.2kV | |
| Gehäusegröße | TO-247N | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 160mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 4.1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 165W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 62nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 22A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1.2kV | ||
Gehäusegröße TO-247N | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 160mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 4.1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 165W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 62nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
The ROHM SCT series N-channel SiC power MOSFET suitable for solar inverters, DC/DC converters, induction heating and motor drives. It has low on state resistance and fast switching speed.
Fast reverse recovery
Easy to parallel
Simple to drive
Pb-free lead plating
RoHS compliant