ROHM N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 39 A 2 W, 8-Pin HSMT

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RS Best.-Nr.:
235-2775P
Herst. Teile-Nr.:
RQ3P300BHTB1
Hersteller:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

39A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

HSMT

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

15.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

36nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.15mm

Höhe

3.4mm

Breite

0.85mm

Automobilstandard

Nein

Der Rohm N-Kanal Leistungs-MOSFET mit geringem Betriebswiderstand hat eine Ableitungs-/Quellspannung von 100 V. Er ist ideal für Schaltzwecke.

Kleines Oberflächenmontage-Gehäuse

Bleifreie Leitungsbeschichtung

RoHS-konform

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