ROHM N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 11 A 125 W, 3-Pin TO-252

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
235-2696P
Herst. Teile-Nr.:
R6511KND3TL1
Hersteller:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

11A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

400mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Maximale Verlustleistung Pd

125W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

32nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

10.4mm

Länge

6.4mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

2.4mm

Automobilstandard

Nein

The ROHM R6xxxKNx series are high-speed switching products, super Junction MOSFET, that place an emphasis on high efficiency. It achieve higher efficiency via high-speed switching. High-speed switching makes it possible to contribute to higher efficiency in PFC and LLC circuits.

Low on-resistance

Ultra fast switching speed

Parallel use is easy

Pb-free plating

RoHS compliant

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