ROHM N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 7 A 78 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 235-2686
- Herst. Teile-Nr.:
- R6507END3TL1
- Hersteller:
- ROHM
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- RS Best.-Nr.:
- 235-2686
- Herst. Teile-Nr.:
- R6507END3TL1
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- ROHM
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 665mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 20nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 78W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 10.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 2.4mm | |
| Länge | 6.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 665mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 20nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 78W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 10.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 2.4mm | ||
Länge 6.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
The ROHM R6xxxENx series are low-noise products, super Junction MOSFET, that place an emphasis on ease-of-use. This series products achieve superior performance for noise-sensitive applications to reduce noise, such as audio and lighting equipment.
Low on-resistance
Fast switching speed
Parallel use is easy
Pb-free plating
RoHS compliant