Infineon IST Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 440 A 250 W, 5-Pin HSOF

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RS Best.-Nr.:
235-0608
Herst. Teile-Nr.:
IST007N04NM6AUMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

440A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

IST

Gehäusegröße

HSOF

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

5

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.7mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

250W

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

178nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

6.9mm

Breite

2.4 mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

7.2mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon OptiMOSTM6-Leistungstransistor arbeitet mit 40 V und einem Ablassstrom von 440 A. Er befindet sich in einem Stoll-Gehäuse mit sehr niedrigen RDS(on) von 0,70 mOhm. Er hat die Vorteile der bekannten Qualitätsstufe von Infineon für robuste Industriegehäuse und ist damit die ideale Lösung für verschiedene Leistungen in batteriebetriebenen Anwendungen, Batterieschutz und Batteriebildung.

Optimiert für Niederspannungsmotorantriebe

Optimiert für Batterieversorgungsanwendungen

Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand (RDS(on))

100 % Avalanche-getestet

Überlegene Wärmeleistung

N-Kanal

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